郝跃 发现半导体材料“新大陆”

时间:2018-05-17 10:47:08  来源:陕西日报  作者:吕扬

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郝跃 发现半导体材料“新大陆”

我们现在的生活几乎不能和半导体脱离关系,正如互联网改变了世界,半导体则影响着世界发展的进程。


郝跃院士(中)在实验室工作。张曦摄

我们现在的生活几乎不能和半导体脱离关系,手机、电视机、电脑包括灯,都有半导体器件在里面工作。正如互联网改变了世界,半导体则影响着世界发展的进程。

如果把半导体材料比作田地,集成电路就好比在这片田地上合理地种植作物,而种植了作物的这片“农田”就是芯片。“土质”的优劣,对芯片产量和品质至关重要。

“谁掌握了我们的芯片,谁就掌握了我们的信息空间。信息空间虽然呈现为多维的、抽象的、不可见的,但却实实在在地影响着我们的生活。人们在这个空间一旦失去自由,就没有安全感。”5月10日,西安电子科技大学宽禁带半导体材料首席专家郝跃院士再次郑重地重复了他当选院士时说的话。

学人小传

郝跃,1958年3月生于重庆市,籍贯安徽阜阳,中国科学院院士、微电子学家。1982年,郝跃毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1985年获西安电子科技大学半导体物理专业硕士学位,1990年在西安交通大学计算数学专业获博士学位,现为国际IEEE学会高级会员,中国电子学会常务理事,担任国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006—2020年)“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长,总装备部微电子技术专家组组长,国务院第七届学科评议组(电子科学与技术一级学科)召集人,国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果,曾获国家技术发明奖二等奖1项,国家科技进步二、三等奖各1项。

十年冷板凳“坐出”先发优势

国内对宽禁带半导体的研究,始于上世纪90年代中后期。那时候,相关领域的科学家和技术人员还在想着各种各样的办法,把电路更好地集成在硅半导体上。

“要寻找新的研究方向!”当时,郝跃教授敏锐地觉察到这一点。经过研究和考察,国际上刚刚起步的宽禁带半导体材料与器件研究,成为郝跃及其团队新的研究方向。

在这个冷门领域里,郝跃团队孤独奋战了近十年。直到2005年前后,国内宽禁带半导体产业开始发展之时,西电的宽禁带半导体研究已经有了深厚的积累,还出版了国内最早探讨宽禁带半导体的专著《碳化硅宽带隙半导体技术》。

2004年,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室正式挂牌,这个专门的机构为更深入地进行科学研究提供了有力支撑。十几年过去了,郝跃团队的实验室在科研成果、人才队伍培养、成果转化等方面取得了一系列成果:获得2项国家科技进步奖二等奖、4项陕西省科学技术一等奖、1项国家级教学成果奖二等奖、1项陕西省教学成果奖特等奖,发表430余篇SCI和EI论文,获得授权发明专利近300项……一条拥有若干项自主关键技术、最高洁净度达百级的宽禁带半导体超净工艺研发线的建成,成为西电的一张“科研名片”。

郝跃和团队成员经常这么说:“我们相信自身的实力。我们的目标在更高更远处。”

编辑: 丁婉(见习)


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